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1 緒言
在材料科學(xué)的浩瀚星空中,碳化硅(SiC)無疑是一顆璀璨的明星。作為無機(jī)半導(dǎo)體材料的一員,碳化硅不僅以其獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì)在磨料、耐火材料等領(lǐng)域大放異彩,更在光電、電子等高技術(shù)領(lǐng)域展現(xiàn)出無限潛力。然而,要想充分發(fā)揮碳化硅的這些優(yōu)異性能,對其內(nèi)部元素的精確分析與控制顯得尤為重要,特別是氧、氮、氫這三大元素。
研究表明,氧含量對碳化硅的等電點(diǎn)和分散性有明顯影響:隨著氧含量增加,碳化硅微粉的等電點(diǎn)接近石英,水中分散性提升,但過高氧含量則反之,且耐高溫性下降,故生產(chǎn)中需嚴(yán)格控制氧含量。適量的氮元素可以調(diào)節(jié)介電性能、增強(qiáng)其耐高溫和抗氧化能力,同時(shí),精確控制氮含量還能優(yōu)化碳化硅的光電性能,如提升發(fā)光效率,進(jìn)而拓展其在光電子及光電導(dǎo)領(lǐng)域的應(yīng)用。
當(dāng)前,行業(yè)內(nèi)普遍采用惰性氣體熔融法作為檢測碳化硅中氧、氮、氫元素含量的主流技術(shù)。該方法利用惰性氣體作為載氣,在高溫下促使試樣中的目標(biāo)元素轉(zhuǎn)化為易于檢測的氣態(tài)化合物(CO2、N2、H2),隨后通過高靈敏度的非色散型紅外檢測器與熱導(dǎo)檢測器,實(shí)現(xiàn)對樣品中氧、氮、氫含量的直接、精確測量。這一技術(shù)的廣泛應(yīng)用,為碳化硅材料的質(zhì)量控制與性能優(yōu)化提供了強(qiáng)有力的技術(shù)支持。然而,目前大部分氧氮?dú)浞治鰞x都是是用熱導(dǎo)測氫/氮,意味著同一個(gè)樣品單次只能測氫或者氮,我們使用的寶英光電科技的ONH-316銳風(fēng)氧氮?dú)浞治鰞x使用紅外測氫技術(shù),能實(shí)現(xiàn)氧氮?dú)渎?lián)測,達(dá)到一次分析同時(shí)得到三種元素含量的目的。
2 實(shí)驗(yàn)部分
2.1儀器與試劑
儀器:寶英光電科技ONH-316銳風(fēng)氧氮?dú)浞治鰞x,高純氬氣做載氣,流量為400mL/min,紅外吸收法測氧和氫,熱導(dǎo)法測定氮。
常規(guī)分析設(shè)置:碳化硅熔點(diǎn)相對較高,大約在2700℃左右,為了防止樣品熔融后升華,引起氣路堵塞,造成后續(xù)測試的影響,所以儀器脫氣功率設(shè)置為6.0kW,后續(xù)分析功率設(shè)置為5.5kW。測試的分析時(shí)間設(shè)定為:氧20秒、氮15秒、氫20秒。
指標(biāo)名稱 | 性能指標(biāo) | ||
氧 | 氮 | 氫 | |
分析范圍 | 低氧:0.1ppm~5000ppm | 低氮:0.1ppm~5000ppm | 0.1ppm~5000ppm |
高氧:0.5%~20% | 高氮:0.5%~50% | ||
靈敏度 | 0.01ppm | ||
載氣 | 高純氬氣 |
碳化硅粉末經(jīng)天平稱重后直接投樣分析測試,無需特殊處理,本實(shí)驗(yàn)選擇的是樣品編號2、3、4的原料樣品(非標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì))進(jìn)行氧、氮、氫元素檢測?。
2.3實(shí)驗(yàn)方法和步驟
稱重使用的是梅特勒AL104萬分之一天平,將鎳囊放置放置于天平上,去皮后稱取0.01g左右粉末樣,稱重完成后,蓋上鎳囊蓋并用潔凈的平口鉗小心擠壓鎳囊,排出鎳囊內(nèi)部空氣。
2.3.2 樣品測試
樣品標(biāo)識 | 氧含量% | 氮含量% | 氫含量% |
2 | 5.5406 | 21.133 | 0.00978 |
5.4824 | 19.696 | 0.01079 | |
3 | 5.1297 | 14.899 | 0.01079 |
5.1395 | 15.966 | 0.01105 | |
4 | 0.5868 | 39.231 | 0.01065 |
0.6124 | 39.135 | 0.01115 |
3 結(jié)論
從分析曲線上可以看出,樣品的釋放完全且均勻平滑,從分析數(shù)據(jù)來看,分析結(jié)果的穩(wěn)定性和重復(fù)性都非常好,說明此分析方法非常適合用于碳化硅粉末樣品的氧氮?dú)湓胤治觥?
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上一個(gè):使用高頻紅外碳硫分析儀分析土壤中的碳硫元素